特許

J-GLOBAL ID：200903084346425029

半導体ウェーハの面取り面の形成方法

発明者： 加賀谷 修 ,  橋本 靖行 ,  黒田 幸夫 ,  田中 恵一
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-221448
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044147
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハ面取り面の形状維持性を高める。研磨時間を短縮し、半導体ウェーハの生産性を高める。【解決手段】 回転するシリコンウェーハWの外周部を砥石の環状溝12aに押し付けて機械的面取りを行う。面粗さ測定装置にて面取り部の形状情報を得て、これに基づきプラズマエッチングする。エッチングガスSF6をエッチング反応炉に流入させ、プラズマ発生電極17とウェーハ保持板11との間に高周波電圧を連続的に印加する。プラズマ発生電極17を、ウェーハWの加工ダメージ部aの厚さに合わせて移動速度を変更しながらウェーハ半径方向に動かす。プラズマ18により励起されたラジカル種19がウェーハ面取り部へ順次供給され、プラズマ領域下のシリコンがエッチングされる。面取り面から加工ダメージ部aがきれいに取り除かれる。ウェーハ面取り面の形状維持性が高まる。後の面取り面研磨工程での研磨時間が短縮でき、ウェーハの生産性が高まる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの外周部に面取り用砥石による面取りを施した後、この面取り面を研磨する半導体ウェーハの面取り面の形成方法において、上記面取り用砥石を用いた面取り後、半導体ウェーハの面取り面にプラズマエッチングを施し、次いで上記面取り面の研磨を行う半導体ウェーハの面取り面の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 601 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/304 601 B ,  H01L 21/304 621 E ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 F

Fターム (10件)：

5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004CB02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA13 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004FA08