特許
J-GLOBAL ID：200903084349064159
磁気共鳴イメージング装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-073246
公開番号（公開出願番号）：特開2008-229008
出願日： 2007年03月20日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】高周波磁場により発熱したセンサ回路によって動作するインタロック装置とその解除装置を付加し、同時に、該インタロック装置とその解除装置を制御して、インタロック動作後に再撮影するに当たっての迅速な復帰を行うことができること。【解決手段】磁気共鳴イメージング装置に於いて、被検体の近傍に、高周波磁場により発熱し、発熱温度に応じて光透過率が変化する高熱伝導率物質16が透明容器15に収容されて配置され。そして、前記高熱伝導率物質16の光透過率を検出するための発光素子17及び受光素子18が前記透明容器15の両側に配置される。受光素子18により検出された高熱伝導率物質16の光透過率が所定値に達したときに、MRIシステム制御部13により撮影を中断させるように制御されると共に、冷却装置20により高熱伝導率物質16を冷却する。そして、冷却装置20の動作後は前記撮影の中断を解除する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
送信コイルからの高周波磁場で被検体の磁化スピンを励起し、励起後誘起される磁気共鳴信号を検出し、前記磁気共鳴信号から画像を再構成する磁気共鳴イメージング装置に於いて、
前記被検体の近傍に配置され、前記高周波磁場により発熱し、発熱温度に応じて光透過率が変化する物質と、
前記物質の光透過率を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記物質の光透過率が所定値に達したときに撮影を中断させるように制御する制御手段と、
前記物質の光透過率が前記所定値に達したときに前記物質を冷却する冷却装置と、
を具備し、
前記制御手段は、前記冷却装置の動作後は前記撮影の中断を解除することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
IPC (3件)：
A61B 5/055
, G01R 33/28
, G01R 33/31
A61B5/05 390
, A61B5/05 370
, G01N24/02 Y
, G01N24/02 510F
4C096AA20
, 4C096AB46
, 4C096AD10
, 4C096AD24
, 4C096BA41
, 4C096BB32
, 4C096CC32
, 4C096CC40
, 4C096FA01
, 4C096FB01
