特許

J-GLOBAL ID：200903084351527417

ヒドロキシルアンモニウムカルボキシレートを使用したレジストおよびエッチング残査を除去するための組成物および除去方法

発明者： サーバリ ジャワド ジェイ
出願人/特許権者： シリコン バレー ケムラブズ,インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 千田 稔 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-544237
公開番号（公開出願番号）：特表2002-505765
出願日： 1999年03月03日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：

【要約】弱カルボン酸で部分的に中和されたヒドロキシルアミンと、たとえばアルキルスルホキシド、ピロリジノン、またはスルホンのようなの有機溶剤との混合物による、低減された金属腐食での、基体からの硬化されたポリマー性フォトレジスト残査の除去。

請求項（抜粋）：

(a)ヒドロキシルアミン、

IPC (3件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/308 E