特許
J-GLOBAL ID：200903084351670929
多結晶化合物半導体太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 和郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-183594
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009306
出願日： 2000年06月19日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 多結晶化合物半導体中の結晶粒界に存在する電気的障壁を除去するなどにより、変換効率などの出力特性に優れた多結晶化合物半導体太陽電池を安価に再現性よく提供する。【解決手段】 p-n接合を形成する各半導体層とそれらに連なる電極層を形成してサブモジュールを構成した後、このサブモジュールに、光誘起電流が流れない状態で外部電源から順方向または逆方向に電流を流す工程を有する多結晶化合物半導体太陽電池の製造方法。
請求項（抜粋）：
n型半導体層およびp型半導体層が積層して形成され、前記n型半導体層およびp型半導体層にそれぞれ電気的に連なる電極が設けられたサブモジュールを構成した後に、前記サブモジュールに光誘起電流が流れない状態で外部電源から順方向または逆方向に電流を流す工程を有することを特徴とする多結晶化合物半導体太陽電池の製造方法。
Fターム (6件)：
5F051AA09
, 5F051AA10
, 5F051BA17
, 5F051CB29
, 5F051CB30
, 5F051EA20
