半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176150
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343278
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】半導体装置のROMコード形成において、品種数の増大に伴うROMコード用リソグラフィマスク数およびそれに伴う工数の増大を防止する。【構成】 ROMコード形成に係るフォトリソグラフィ工程において、光および電子線双方に感度を持つレジストを用い、コード情報部(第1アルミ4d)を電子線露光で、その他コードに関係なく、各品種共通パターン(第1アルミ4a,4b)を光露光により露光する。これにより品種数の増加によるマスク数の増大を防止し、又電子線露光をROMコードのみに限定することで、電子線露光のスループットを向上させる。

請求項（抜粋）：

ROMコード形成に係るフォトリソグラフィ工程の露光を行う半導体装置の製造方法であって、ROMコードを組み込むフォトリソグラフィ工程のレジストとして、光および電子線双方に感度を有するレジストを用い、ROM領域以外及びROM領域の周期性パターンを光露光で行い、ROM領域のコード情報を電子線露光で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 7/26

FI (3件)：

H01L 21/30 301 A , H01L 21/30 301 M , H01L 21/30 301 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭54-081786
特開平3-218005
特開昭54-081786

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