特許

J-GLOBAL ID：200903084354767290

薄膜多結晶シリコンの製造方法

発明者： 樽井 久樹 ,  丸山 英治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231780
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074702
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 スポット状のレーザ光照射を使用して膜質が均一な薄膜多結晶シリコンを得ることを目的とする。【構成】 基板(1)上に形成されたシリコン膜(2)に対して、基板の両主面から交互にレーザ光A,B,Cを照射するとともに、その照射部の一部がその交互で互いに重なり合うように、且つそのシリコン膜の形成面側からのレーザ光の照射強度の方を大となるように照射する。

請求項（抜粋）：

透光性基板の一主面上に形成されたシリコン膜に、エネルギービーム照射器から出射されるスポット状のエネルギービームを、前記主面に沿って前記透光性基板の両主面から交互に照射するとともに、その照射部の一部をその交互で互いに重なり合わせ、且つ前記透光性基板の他主面側からの前記エネルギービームの強度を、他方の側のエネルギービームの強度よりも大とする薄膜多結晶シリコンの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/268

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-112326
  
• 特開平2-238618
  
• 特開昭57-045921