特許

J-GLOBAL ID：200903084356368619

シリコン単結晶製造装置

発明者： 松尾 博臣 ,  鈴木 計弥
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-261981
公開番号（公開出願番号）：特開平7-118088
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1995年05月09日
要約：

【要約】【目的】 シリコン単結晶製造時における引上げ速度の高速化を図るシリコン単結晶製造装置を提供する。【構成】 チャンバ2内に設けられた石英るつぼの中のシリコン融液に種結晶を浸し、種結晶と石英るつぼとを回転させながら種結晶を引き上げてシリコン単結晶を成長させるシリコン単結晶製造装置の、前記チャンバ2の内壁面の少なくとも上部をカーボンシート(カーボン)7により構成する。チャンバの内壁面がカーボンシート7で構成されているので、シリコン融液等から輻射熱の発生が抑制されてチャンバ2の内部が低温になり、冷却効果が向上して、シリコン単結晶の表面の温度上昇を抑えることができる。これによって、シリコン単結晶の製造時における引上げ速度の高速化を図ることが可能になる。

請求項（抜粋）：

チャンバ内に設けられた石英るつぼの中のシリコン融液に種結晶を浸し、前記種結晶と前記石英るつぼとを回転させながら前記種結晶を引き上げてシリコン単結晶を成長させるシリコン単結晶製造装置であって、前記チャンバの内壁面の少なくとも上部がカーボンにより構成されていることを特徴とするシリコン単結晶製造装置。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208