特許
J-GLOBAL ID：200903084360373112
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-261487
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106983
出願日： 1995年10月09日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【目的】 絶縁膜がレジストパターンを除去する際の酸素プラズマによってサイドエッチングされ難いと共に加熱されても水分を発生し難いようにする。【構成】 金属膜を有する半導体基板上に形成された絶縁膜は第1のシラノール縮合体微粒子1と第2の縮合体微粒子2とが分散状態で混在した複合化層よりなる。第1のシラノール縮合体微粒子1は、フッ素とシリコンとの結合及び有機基とシリコンとの結合のうちの少なくとも1つの結合を含む。第2のシラノール縮合体微粒子2は、酸素とシリコンとの結合のみを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された金属膜と、該金属膜の周囲に形成された絶縁膜とを備えた半導体装置において、前記絶縁膜は、フッ素とシリコンとの結合及び有機基とシリコンとの結合のうちの少なくとも1つの結合を含む第1のシラノール縮合体微粒子と、酸素とシリコンとの結合のみを含む第2のシラノール縮合体微粒子とが分散状態で混在した複合化層よりなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/312
, H01L 21/316
, H01L 21/768
H01L 21/312 C
, H01L 21/316 G
, H01L 21/316 P
, H01L 21/90 J
