特許

J-GLOBAL ID：200903084363057327

磁界センサを有する流量制御バルブ

発明者： ベセン, マシュー エム.
出願人/特許権者： エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  大塚 住江
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-515102
公開番号（公開出願番号）：特表2007-526619
出願日： 2004年06月01日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

磁界センサを含むソレノイド装置、および該装置を操作する方法を記述する。装置は、少なくとも一部は強磁性体で形成され、あらゆる強磁性体から実質的に独立しているギャップを定義する、磁束回路部を介して延びる磁束を生成する磁界生成器を含む。ギャップを横切って延びる磁束を感知するために、磁束センサが配置されている。装置は、流体の流量制御バルブとして実行され得る。磁束回路部は、ハウジングと、移動可能なようにハウジングに対して装着されているプランジャとを備える。

請求項（抜粋）：

ソレノイド装置であって、 少なくとも一部は強磁性体で形成され、強磁性ブリッジから実質的に独立しているギャップを定義する磁束回路部と、 該磁束回路部と該ギャップとを含む回路内に磁束を生成する磁界生成器と、 該ギャップを横切って延びる該磁束の一部分を感知する磁束センサと を備える、ソレノイド装置。

IPC (2件)：

H01F 7/16 ,  G05D 7/06

FI (3件)：

H01F7/16 R ,  H01F7/16 E ,  G05D7/06 Z

Fターム (11件)：

5E048AB01 ,  5E048AC10 ,  5E048AD07 ,  5H307AA20 ,  5H307BB01 ,  5H307BB05 ,  5H307DD01 ,  5H307DD02 ,  5H307EE02 ,  5H307EE07 ,  5H307FF26