特許

J-GLOBAL ID：200903084364864323

不揮発性半導体メモリ

発明者： 岩橋 弘
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-198337
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030471
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 ゲート絶縁膜中に電荷蓄積層を有するMOSトランジスタをメモリセルとする不揮発性半導体メモリにおいて、多値のデータを書替え可能とする。【解決手段】 メモリセルとなるMOSトランジスタのドレイン側の電荷蓄積層に電子を蓄積するか、MOSトランジスタのソース側の電荷蓄積層に電子を蓄積するか、MOSトランジスタのドレイン側及びソース側の電荷蓄積層の両方に電子を蓄積するか、MOSトランジスタのドレイン側及びソース側の電荷蓄積層に電子を蓄積しないか、の4つの状態によってMOSトランジスタに2ビット分のデータを記憶する。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜中に電荷蓄積層を有するMOSトランジスタをメモリセルとする不揮発性半導体メモリにおいて、前記MOSトランジスタのドレイン側の前記電荷蓄積層に電子を蓄積するか、前記MOSトランジスタのソース側の前記電荷蓄積層に電子を蓄積するか、前記MOSトランジスタのドレイン側及びソース側の前記電荷蓄積層に電子を蓄積するか、前記MOSトランジスタのドレイン側及びソース側の前記電荷蓄積層に電子を蓄積しないか、によって前記MOSトランジスタに2ット分のデータを記憶するようにしたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (8件)：

G11C 16/02 ,  G11C 14/00 ,  G11C 15/04 601 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

G11C 17/00 641 ,  G11C 15/04 601 R ,  G11C 11/40 101 ,  G11C 17/00 621 B ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (33件)：

5B015HH01 ,  5B015HH03 ,  5B015JJ32 ,  5B015KA10 ,  5B015KB92 ,  5B015QQ16 ,  5B025AA01 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5F001AA11 ,  5F001AA13 ,  5F001AB02 ,  5F001AC02 ,  5F001AC06 ,  5F001AD12 ,  5F001AE02 ,  5F001AE03 ,  5F001AE08 ,  5F001AF20 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083ER02 ,  5F083ER05 ,  5F083ER06 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER15 ,  5F083ER16 ,  5F083ER21 ,  5F083JA04 ,  5F083ZA21