特許

J-GLOBAL ID：200903084369817463

真空成膜用マスクおよびそれを用いた薄膜素子製造方法

発明者： 近郷 泰郎 ,  田中 聡 ,  林 崇子
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-269475
公開番号（公開出願番号）：特開2000-096211
出願日： 1998年09月24日
公開日（公表日）： 2000年04月04日
要約：

【要約】【目的】 真空成膜用マスクのたわみを低減し、取り扱い性にすぐれ、該マスクを用いて形成したパターンを微細にできるようにする。【解決手段】 開口部形状の薄膜を形成するための真空成膜用マスクにおいて、該マスクに設けられた隣接する開口部間の遮蔽部の被形成物と接する側の面に、前記開口部により形成する薄膜パターンを収納可能な凹部を設ける。このマスクを有機EL層表面に密着させて1回目の真空成膜を実施して薄膜を形成した後にマスクを移動させ、1回目の真空成膜工程により形成した薄膜パターンが凹部内部に収まるようにして、2回目の真空成膜を実施して素子を製造する。

請求項（抜粋）：

開口部が形成され、薄膜を形成する被覆体と当接して真空成膜することで開口部形状の薄膜パターンを形成するための真空成膜用マスクにおいて、該マスクに設けられた隣接する開口部間の遮蔽部であって、被形成物と接する側の面には、前記開口部により形成する薄膜パターンを収納可能な凹部が設けられていることを特徴とする真空成膜用マスク。

IPC (4件)：

C23C 14/04 ,  H01L 21/285 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/26

FI (4件)：

C23C 14/04 A ,  H01L 21/285 P ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/26 Z