特許

J-GLOBAL ID：200903084370649604

窒化ガリウム系半導体発光素子

発明者： 岡崎 均
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-328223
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186291
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 GaN系半導体結晶との格子整合性がよく、かつ導電性を有し、さらにはGaN系半導体結晶の成長時に安定な基板或はバッファ層を用い、それによって製造が容易で高品質のGaN系半導体発光素子を得る。【構成】 六方晶系のSnドープIn2 O3 よりなる基板上に直接、発光層を含む1層以上のGaN系半導体層をエピタキシャル成長させる。或は、サファイア等の基板上に直接、六方晶系のIn2 O3 よりなるバッファ層を形成し、そのバッファ層上に、発光層を含む1層以上のGaN系半導体層をエピタキシャル成長させる。In2 O3 は、スズの添加により、導電性を有する。【効果】 格子整合性が著しく改善されるとともに、In2 O3 が熱的及び化学的に安定で、透明かつ導電性を有するため、発光素子の高品質化及び製造プロセスの簡略化が図れる。

請求項（抜粋）：

六方晶系の三酸化二インジウムよりなる基板上に直接、発光層を含む1層以上の窒化ガリウム系半導体層を形成したことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。