特許
J-GLOBAL ID：200903084373353005

非単結晶半導体薄膜の製造方法

発明者：
佐々木 敏明

佐々木 敏明 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-284060
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114188
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】反応室に導入した原料ガスを高周波グロー放電プラズマで分解して非単結晶半導体薄膜を製造する方法において、膜質の改善を図りつつ、製膜スループットを向上させる。【解決手段】共に接地されていない第一電極1、第二電極2の双方に製膜用の基板を設置し、その第一電極1と第二電極2に高周波電圧を位相差を制御して同時に印加する。特に、第一電極1と第二電極2とに位相を反転した高周波電圧を印加し、また、第一電極と第二電極とを同じ温度に加熱すると良い。
請求項（抜粋）：
反応室に導入した原料ガスを高周波グロー放電プラズマで分解して非単結晶半導体薄膜を製造する方法において、共に接地していない第一電極と第二電極とを備え、その第一電極と第二電極との双方に基板を設置し、第一電極と第二電極とに高周波電圧を位相差を制御して同時に印加することを特徴とする非単結晶半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 31/04 V
Fターム (15件)：
5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045BB08 ,  5F045DA68 ,  5F045EH04 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CA07 ,  5F051CA16 ,  5F051CA23
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開昭57-186321
  • 特開昭60-202929
  • 特開昭61-202438

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