特許
J-GLOBAL ID：200903084374713013
密着型イメージセンサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-294849
公開番号（公開出願番号）：特開平8-152357
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】密着型イメージセンサにおいて、光電変換素子用透明絶縁基板と、駆動ICチップ用基板と、共通基台との間の熱膨張係数の違いに起因する、ボンディングワイヤのずれ、断線、ショートを防止すると共に、透明絶縁基板の反りによる読み取り精度の低下、破壊を抑止する。【構成】光電変換用透明絶縁基板1と、駆動ICチップ2用の基板3とを実質的に同一の熱膨張係数を持つ材料で構成し、両基板1,3をエポキシ系接着剤のような固くて強度の強い接着剤4で固着して一体化接合体20することにより、加熱に対して両基板1,3が同体移動するようにすると共に、接合体20と共通基台7とを、シリコーン接着剤のような弾性を有する接着剤6で接着し、接着剤6に緩衝作用を行わせる。
請求項（抜粋）：
直線状配列の複数の光電変換素子が形成された透明絶縁基板と前記光電変換素子を駆動するためのICチップとを、共通の基台上に搭載して成る密着型イメージセンサにおいて、前記ICチップと前記光電変換素子とを、熱による膨張、収縮に関して、同一透明絶縁基板上に設けたと等価な構造としたことを特徴とする密着型イメージセンサ。
IPC (3件)：
G01J 1/02
, H04N 1/028
, H04N 5/335
