特許

J-GLOBAL ID：200903084382184364

エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置

発明者： 熊野 佳代 ,  横内 比斗志
出願人/特許権者： 東芝ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-090667
公開番号（公開出願番号）：特開平7-278271
出願日： 1994年04月05日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：

【要約】【構成】 本発明は、(A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック型フェノール樹脂、(C)硬化促進剤として(a )次の一般式で示されるイミダゾール化合物と(b )三フッ化ホウ素とアミンの錯体、及び(D)無機質充填剤を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前記(C)の硬化促進剤を0.1 〜1.0 重量%、(C)硬化促進剤中(a )のイミダゾール化合物を5 〜50重量%、全体の樹脂組成物に対して(D)の無機質充填剤を25〜90重量%の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成物であり、この樹脂組成物により封止した半導体封止装置である。【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置は、耐湿性、半田耐熱性に優れる。

請求項（抜粋）：

(A)エポキシ樹脂(B)ノボラック型フェノール樹脂(C)硬化促進剤として(a )次の一般式で示されるイミダゾール化合物および【化1】(但し、式中R1 はCj H2j+1基を、R2 はCk H2k+1基をそれぞれ表し、各基におけるj 、k およびn は 0又は 1以上の整数を表す)(b )次の一般式で示される三フッ化ホウ素とアミンの錯体【化2】(但し、式中R3 はCl H2l+1基を、R4 はCm H2m+1基をそれぞれ表し、各基におけるl 、m は 0又は 1以上の整数を表す)(D)無機質充填剤を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前記(C)の硬化促進剤を0.1 〜1.0 重量%の割合で含有し、かつ(C)硬化促進剤中(a )のイミダゾール化合物を5 〜50重量%含み、また、全体の樹脂組成物に対して(D)の無機質充填剤を25〜90重量%の割合で含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。

IPC (4件)：

C08G 59/50 NJE ,  C08G 59/62 NJS ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31