特許
J-GLOBAL ID:200903084382545570

半導体装置を平坦化する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-275904
公開番号(公開出願番号):特開平5-218000
出願日: 1992年10月14日
公開日(公表日): 1993年08月27日
要約:
【要約】【目的】 本発明の目的は、平坦な表面を有する半導体装置を提供することにある。【構成】 VLSIなどの、金属被覆した半導体チップを、第1のSiO2の層でコーティングした後、エッチ・ストップとして、CVDダイアモンドまたはDLCの第2の層でコーティングする。得られた構造は、化学・機械研磨スラリおよび適当な研磨パッドを使用して、再現可能、制御可能に平坦化され、後続の各層を同様にして次々に形成することができる。【効果】
請求項(抜粋):
表面構造を配設した平坦な基板を用意する工程と、基板および表面構造全体を、絶縁材料の第1の層でコーティングする工程と、第1の層を、ダイアモンドまたはダイアモンド状炭素を含む第2の層でコーティングする工程と、第1の層と第2の層とを、スラリ中で研磨パッドを使用して化学・機械研磨を行う工程と、全体が実質的に平坦になった時点で加工を停止する工程とを含む、半導体装置を平坦化する方法。
IPC (2件):
H01L 21/306 ,  H01L 21/304 321
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭63-251164
  • 特開昭61-240629

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