特許
J-GLOBAL ID：200903084383896872
高密度ITO焼結体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-353102
公開番号（公開出願番号）：特開平5-170513
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年07月09日
要約：
【要約】【目的】【構成】 熱間等方圧プレスによってITOを焼結させる際、焼結雰囲気を酸素雰囲気とし、内面にアルミナ及び/又は窒化硼素等をコ-ティングしたニッケル又は銅の容器を用い、1100°C以下、100kg/cm2以上で焼結させる高密度ITO焼結体の製造方法【効果】 得られた焼結体は、還元されにくく高密度となる。この焼結体は低抵抗な透明導電膜を形成するスパッタリングタ-ゲットとして有用である。
請求項（抜粋）：
ITO粉末又はITO粉末成型体を缶体に充填し、熱間等方圧プレスによって焼結させる際、雰囲気を酸素雰囲気とすることを特徴とする高密度ITO焼結体の製造方法。
IPC (3件)：
C04B 35/00
, C04B 35/64 302
, C23C 14/34
