特許

J-GLOBAL ID：200903084384135522

半導体レーザーのサブマウント

発明者： 石倉 千春
出願人/特許権者： 田中貴金属工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-229504
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048213
出願日： 1991年08月15日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 ワイヤーボンディングせず、またバレルコーティングせずに、レーザー発振素子とヒートシンクの導通をとることのできる半導体レーザーのサブマウントを提供する。【構成】 半導体レーザー発振素子とヒートシンクと前記両者の間に位置する絶縁材のサブマウントよりなる半導体レーザーに於いて、前記サブマウントにスルホールを設け、このスルホールの内面にメタライズ層を形成して、半導体レーザー発振素子とヒートシンクの導通をとったことを特徴とする半導体レーザーのサブマウント。

請求項（抜粋）：

半導体レーザー発振素子とヒートシンクと前記両者の間に位置する絶縁材のサブマウントよりなる半導体レーザーに於いて、前記サブマウントにスルホールを設け、このスルホールの内面にメタライズ層を形成して、半導体レーザー発振素子とヒートシンクの導通をとったことを特徴とする半導体レーザーのサブマウント。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/36 ,  H01S 3/043

FI (2件)：

H01L 23/36 D ,  H01S 3/04 S