正方晶MgSiO3結晶及びその製造方法並びに圧電素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：角谷哲生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-355017
公開番号（公開出願番号）：特開2006-160566
出願日： 2004年12月08日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】鉛を含まない優れた圧電性を示し、特に生体適合性を有する新規な正方晶MgSiO3結晶及びその製造方法並びに鉛を含まない生体適合性を有する圧電素子を提供する。【解決手段】結晶質下地(シリコン単結晶基板又はその上にバッファー層を形成したもの)上に、Mg及びSiを酸素の雰囲気中でPVD法(ヘリコン波反応性スパッタリング法など)を用いてエピタキシャル成長させることにより、正方晶MgSiO3結晶の薄膜を形成する。バッファー層としては格子定数が特定の範囲にあるものが正方晶MgSiO3結晶をうる為に必要である。中でも金属又は金属酸化物の薄膜(イリジウム薄膜又は酸化イリジウム薄膜など)を形成したものが好ましい。この正方晶MgSiO3結晶の薄膜は、圧電素子として電子デバイスの圧電アクチュエータ、特に医療機器用圧電アクチュエータとして使用できる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

正方晶MgSiO3結晶。

IPC (4件)：

C30B 29/34 , C23C 14/08 , H01L 41/18 , H01L 41/24

FI (4件)：

C30B29/34 Z , C23C14/08 K , H01L41/18 101Z , H01L41/22 A

Fターム (13件)：

4G077AA03 , 4G077AB07 , 4G077BD14 , 4G077DA11 , 4G077EA02 , 4G077EF02 , 4G077HA11 , 4G077SB02 , 4K029AA06 , 4K029BA50 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029DC35

引用文献：

審査官引用 (4件)

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