特許
J-GLOBAL ID：200903084393088510
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220540
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058544
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 熱処理時における銅配線中の銅原子の絶縁膜中への拡散を阻止することにより、配線間におけるリーク電流の発生を防止すると共に、銅配線と絶縁膜との密着性を向上させて銅配線と絶縁膜との界面にボイドが発生する事態を防止することにより、銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。【解決手段】 半導体基板100上の第1の絶縁膜101にバリア膜103及び銅膜104からなる銅配線105を形成する。半導体基板100を低圧チャンバー内の下部電極107の上に保持した後、低圧チャンバー内を400°C程度の温度下に保持しつつ、半導体基板100の表面にSiH4 ガス109を供給して、銅膜104の表面に銅シリサイド層110を形成する。低圧チャンバー内にSiH4 とNH3 との混合ガス111を導入すると共に下部電極107に高周波電力を供給して、SiH4 とNH3 との混合ガス111をプラズマ化し、該プラズマにより銅シリサイド層110の上を含む絶縁膜101の上にシリコン窒化膜からなる第2の絶縁膜112を堆積する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の第1の絶縁膜に配線溝を形成した後、該配線溝を含む前記第1の絶縁膜上にバリア膜及び銅膜を順次堆積する工程と、前記バリア膜及び銅膜における前記第1の絶縁膜の上に露出している部分を除去して、前記配線溝に埋め込まれている前記バリア膜及び銅膜からなる銅配線を形成する工程と、前記半導体基板上にシリコンを含む第1の反応性ガスを供給して、前記銅配線を構成する前記銅膜の上面に選択的に銅シリサイド層を形成する工程と、前記半導体基板上に、前記第1の反応性ガスに窒素成分を含むガスが添加されてなる第2の反応性ガス又は該第2の反応性ガスからなるプラズマを供給して、前記銅シリサイド層の上を含む前記第1の絶縁膜の上にシリコン窒化膜からなる第2の絶縁膜を堆積する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (13件)：
5F033AA09
, 5F033AA14
, 5F033AA66
, 5F033AA73
, 5F033BA15
, 5F033BA17
, 5F033BA24
, 5F033BA25
, 5F033BA34
, 5F033BA38
, 5F033BA43
, 5F033BA45
, 5F033EA28
