特許
J-GLOBAL ID：200903084393663051
半導体装置及びその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-083551
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316264
出願日： 1989年04月07日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 被覆ワイヤを使用する半導体製造技術において、被覆膜の熱劣化に起因する膜破壊によるタブショート、チップショート、あるいはワイヤ間のショートを防止することのできる技術を提供することにある。【構成】 タブ上に搭載された半導体チップの外部端子とリードとが被覆ワイヤで接続され、この被覆ワイヤ及び被覆ワイヤの接続部分が樹脂で覆われた半導体装置において、前記被覆ワイヤが延在する部分の半導体チップの角部、タブの角部又はリードの角部に形状を緩和する。
請求項（抜粋）：
タブ上に搭載された半導体チップの外部端子とリードとが金属線の表面を絶縁体で被覆した被覆ワイヤで接続され、この被覆ワイヤ及び被覆ワイヤの接続部分が樹脂で覆われた半導体装置において、前記被覆ワイヤが延在する部分の半導体チップの角部、タブの角度又はリードの角部の形状を緩和したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
, H01L 23/50
H01L 21/60 301 F
, H01L 21/60 301 B
, H01L 21/60 301 C
, H01L 23/50 B
