特許

J-GLOBAL ID：200903084394420632

単結晶シリコンの製造装置および製造方法

発明者： 冨岡 純輔 ,  稲垣 宏 ,  石川 文敬
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-280152
公開番号（公開出願番号）：特開平10-101482
出願日： 1996年10月01日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：

【要約】【課題】 酸素濃度が12×1017atoms/cm3 以下あるいは10×1017atoms/cm3 以下で、かつ、軸方向酸素濃度分布の均一な単結晶シリコンを得ることが可能な製造装置、製造方法を提供する。【解決手段】 石英るつぼ4を取り囲むメインヒータ6と、石英るつぼ4の上方に配置した逆円錐台形状のトップヒータ9とに対する投入電力を制御し、単結晶シリコン10の引き上げ時に融液5を所定の温度範囲に保持する。メインヒータ6とトップヒータ9とを連携させて使用すれば、メインヒータ6の発熱量が少なくて済み、石英るつぼ4に加えられる熱負荷および石英るつぼ4から融液5に溶け出す酸素量が低減し、低酸素濃度かつ濃度分布の均一な単結晶シリコンが得られる。また、単結晶シリコン10に最適の熱履歴を付与することができる。磁場を印加して前記方法を用いれば、更に低酸素濃度の単結晶シリコンが得られる。

請求項（抜粋）：

CZ法による単結晶シリコンの製造装置において、石英るつぼの上方にトップヒータを設け、前記トップヒータが、(1)キャリアガスの整流と、(2)石英るつぼに充填した原料ならびにその融液の加熱と、(3)引き上げ中の単結晶シリコンの加熱と、(4)石英るつぼから融液に溶け出す酸素量の抑制ならびに石英るつぼの熱負荷による劣化の抑制と、(5)融液から引き上げた単結晶シリコンに対する熱履歴の付与とのうち少なくとも1つ以上の機能を有することを特徴とする単結晶シリコン製造装置。

IPC (2件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/14

FI (2件)：

C30B 29/06 502 E ,  C30B 15/14