特許
J-GLOBAL ID:200903084395984939

面発光レーザ素子および該面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 磯村 雅俊 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-082660
公開番号(公開出願番号):特開2002-359434
出願日: 2002年03月25日
公開日(公表日): 2002年12月13日
要約:
【要約】【課題】 発振閾値電流が低く特性に優れた面発光レーザ素子、該面発光レーザ素子を用いた並列光インターコネクション用途等に好適な低消費電力、高速変調可能な面発光レーザアレイ、高速伝送が可能な光インターコネクションシステム、および高速通信が可能な光通信システム(請求項9)を提供すること。【解決手段】 活性層13および共振器スペーサー層12を含む共振領域と、該共振領域を挟んで対向する一対の分布ブラッグ反射器11,14とを備えた面発光レーザ素子において、Alを含む半導体混晶を酸化してなる電流狭窄構造16’を共振器スペーサー層中の活性層13の片側または両側に設けた。該面発光レーザ素子を用いることで、面発光レーザアレイ、高速伝送が可能な光インターコネクションシステム、および高速通信が可能な光通信システムも実現できる。
請求項(抜粋):
活性層および共振器スペーサー層を含む共振領域と、該共振領域を挟んで対向する一対の分布ブラッグ反射器とを備えた面発光レーザ素子であって、Alを含む半導体混晶を酸化してなる電流狭窄構造が前記共振器スペーサー層中に設けられていることを特徴とする面発光レーザ素子。
IPC (4件):
H01S 5/183 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/343 610
FI (4件):
H01S 5/183 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/343 610
Fターム (23件):
2H037AA01 ,  2H037BA03 ,  2H037BA05 ,  2H037CA04 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB05 ,  5F073AB17 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073BA09 ,  5F073CA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CA20 ,  5F073CB02 ,  5F073DA27 ,  5F073EA02 ,  5F073EA14 ,  5F073EA29

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