特許

J-GLOBAL ID：200903084401318296

スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物、およびスパッタリングターゲットの製造方法

発明者： 井上 一吉 ,  渋谷 忠夫 ,  海上 暁
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000008236
公開番号（公開出願番号）：WO2001-038599
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2001年05月31日
要約：

【要約】少なくとも酸化インジウムおよび酸化亜鉛を含有してなるスパッタリングターゲットにおいて、In/(In+Zn)で表わされる原子比を0.75〜0.97の範囲内の値とするとともに、In2O3(ZnO)m(ただし、mは2〜20の整数である。)で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径を5μm以下の値とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも酸化インジウムおよび酸化亜鉛を含有してなるスパッタリングターゲットにおいて、 In/(In+Zn)で表わされる原子比を0.75〜0.97の範囲内の値とするとともに、 In2O3(ZnO)m(ただし、mは2〜20の整数である。)で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径を5μm以下の値とすること を特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/08 ,  C04B 35/457 ,  C23C 14/34

FI (3件)：

C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A ,  C04B 35/00 R