特許
J-GLOBAL ID：200903084410115373
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-230667
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074786
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 より高速な自己整合型バイポーラトランジスタの製造方法に関し,従来使われていたドープトポリSiを使わずに,抵抗の低い高融点金属等の材料を用いたベース引き出し電極構造を得ることを目的とする。【構成】 自己整合型バイポーラトランジスタであって,ベース引き出し電極の,少なくとも半導体基板上のベース領域に接する部分が, 高融点金属よりなるサイドウォールにて形成されてなるように構成する。
請求項（抜粋）：
自己整合型バイポーラトランジスタであって,ベース引き出し電極の,少なくとも半導体基板上のベース領域に接続する部分が, 高融点金属よりなるサイドウォールにて形成されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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