特許

J-GLOBAL ID：200903084410234917

レジストパターンの形成方法

発明者： 風間 和夫 ,  村井 二三夫 ,  岡崎 信次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立金属株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-050399
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267838
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 化学増幅系レジストで問題となっていたレジスト表面難溶化層の影響を防止し、設計パターンに忠実なレジストパターンを形成する方法を提供するものである。【構成】 化学増幅系ポジ型レジストを使用したときに形成される表面難溶化層を、レジスト表面を酸性雰囲気にさらすことにより現像液に溶解しやすくさせる。このことから、レジスト全面を表面より一定深さまで溶解することで設計寸法に対し高精度なレジストパターンを形成することができる。【効果】 化学増幅系ポジ型レジストを使用したときに形成される表面難溶化層を、レジスト表面を酸性雰囲気にさらすことにより現像液に溶解しやすくさせる。このことから、レジスト全面を表面より一定深さまで溶解することで設計寸法に対し高精度なレジストパターンを形成することができる。

請求項（抜粋）：

被加工基板上にレジストを塗布、プリベーク、露光、露光後ベーク、現像の各処理を行なう化学増幅系ポジ型レジストの処理方法において、該レジスト表面を酸性雰囲気にさらす工程の後、露光後ベーク処理を行ない、続く現像工程時にレジスト全面を表面より一定深さまで溶解する工程を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/38 511

FI (3件)：

H01L 21/30 361 F ,  H01L 21/30 311 W ,  H01L 21/30 361 G