特許
J-GLOBAL ID:200903084413388460
半導体発光装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-105149
公開番号(公開出願番号):特開平5-299699
出願日: 1992年04月24日
公開日(公表日): 1993年11月12日
要約:
【要約】【目的】 半導体発光装置に関し、本発明は、発光ダイオード・チップの活性領域に加わる応力を低減し、スクリーニングを行った際の歩留りを向上し得るようにする。【構成】 鉄、或いは、鉄を主成分とする材料のTO-18型(JIS規格品)パッケージに於けるステム11上に半田(或いはAuSi)からなるソルダ12で取り付けられた厚さが892〔μm〕乃至956〔μm〕(或いは888〔μm〕乃至1007〔μm〕)であるAlNからなるサブ・マウント13並びにサブ・マウント13上にAuSnからなるソルダ14で取り付けられた発光ダイオード・チップ15を備えている。
請求項(抜粋):
鉄或いは鉄を主成分とする材料からなるステム上に半田からなるソルダで取り付けられた厚さが892〔μm〕乃至956〔μm〕であるAlNからなるサブ・マウント及び該サブ・マウント上にAuSnからなるソルダで取り付けられた発光ダイオード・チップを備えてなることを特徴とする半導体発光装置。
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