特許

J-GLOBAL ID：200903084418562190

半導体装置の製造方法

発明者： 高林 幸作
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-207238
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055485
出願日： 1995年08月14日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 従来の熱酸化法では困難だったONO膜のボトム酸化膜を薄く制御性よく形成するために、CVD法を用い、その後に絶縁特性を向上させる。【解決手段】 ONO膜の下層側酸化シリコン膜を化学的気相成長法により成膜し(S2)、酸化窒素の雰囲気ガス中で熱処理することにより酸窒化した後(S3)、ONO膜の中間窒化シリコン膜を成膜する(S4)。この製法は、フローティングゲートを有する半導体装置におけるコントロールゲートとの間の中間絶縁膜の形成に好適である。下層側酸化シリコン膜としては、高温化学的気相成長酸化膜が好ましく、酸窒化の温度は、800〜1100°Cが好ましい。また、酸窒化工程(S3)では、雰囲気ガスの酸化窒素を窒素で希釈して用いることもできる。

請求項（抜粋）：

上層側酸化シリコン膜と、中間窒化シリコン膜と、下層側酸化シリコン膜とからなる3層構造の積層膜を含む半導体装置の製造方法において、前記下層側酸化シリコン膜を、化学的気相成長法により成膜する工程と、成膜した前記下層側酸化シリコン膜を、酸化窒素の雰囲気ガス中で熱処理することにより酸窒化する工程と、酸窒化した前記下層側酸化シリコン膜上に、前記中間窒化シリコン膜を成膜する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 371