特許

J-GLOBAL ID：200903084420446211

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 塩本 武弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-027174
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223791
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 1つの光ピックアップから2種類の波長の光を発射することを可能にし、これによって、省スペースで光学系の設計も簡単としつつ、2種類の光ディスクに対する読取および書込を可能とする。【解決手段】 発光波長および温度依存性の異なる2つの半導体レーザ素子30、40をステム11上に積層した半導体レーザ装置。2つのレーザ素子のうち温度依存性が大きい方30をステム側に配置し、その上に温度依存性の小さい方40を積層している。両レーザチップ間の各発光点の間隔は、160マイクロメートル以下であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

発光波長および温度依存性の異なる2つの半導体レーザ素子(30、40)をステム(11)上に積層した半導体レーザ装置であって、上記2つのレーザ素子のうち温度依存性が大きい方(30)をステム側に配置し、その上に温度依存性の小さい方(40)を積層したことを特徴とする、半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 5/40 ,  H01S 5/022 ,  G11B 7/125

FI (3件)：

H01S 3/18 680 ,  G11B 7/125 A ,  H01S 3/18 612

Fターム (17件)：

5D119AA03 ,  5D119AA41 ,  5D119EC45 ,  5D119EC47 ,  5D119FA05 ,  5D119FA08 ,  5D119FA17 ,  5D119NA04 ,  5F073AB06 ,  5F073BA05 ,  5F073EA29 ,  5F073FA03 ,  5F073FA15 ,  5F073FA16 ,  5F073FA22 ,  5F073FA23 ,  5F073FA30