特許

J-GLOBAL ID：200903084427862563

半導体装置の製造方法および製造装置

発明者： 赤坂 泰志 ,  須黒 恭一 ,  中嶋 一明 ,  宮野 清孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240735
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064028
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】安全にポリメタルゲートのSiを選択的に酸化すること。【解決手段】処理容器115内にポリメタルゲートが形成された被処理基体を収容し、処理容器115内にH2 ガス、H2 OガスおよびN2 ガスを導入するとともに、処理容器115内のH2 ガスの分圧を4%未満に設定し、かつ被処理基体の温度を600°C以上に設定して、ポリメタルゲートのSiを選択的に酸化することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

処理容器内にシリコンの露出部分を有する被処理基体を収容し、前記処理容器内にH2 ガス、H2 OガスおよびH2 ガスとは異なる非酸化性ガスを導入するとともに、前記処理容器内の前記H2 ガスの分圧を4%未満に設定し、かつ前記被処理基体の温度を600°C以上に設定して、前記シリコンの露出部分を選択的に酸化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/31 E ,  H01L 29/78 301 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-119763
  
• 特開平3-119763
  
• 特開昭62-102520
  
• 特開昭62-102520
  
• 特開平4-119630