特許

J-GLOBAL ID：200903084427978006

高周波印加電極とこの電極を用いたプラズマプロセス装置

発明者： 住田 賢二 ,  天野 修臣
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-328895
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148368
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 電極周辺部への高周波電流の集中を防ぎ、プラズマの均一性を高めることができる高周波印加電極とプラズマプロセス装置を提供する。【解決手段】 外部より反応ガス4が供給される真空容器3内に対向して配置された電極1,2に高周波電圧を印加して真空容器3内にプラズマを発生させるプラズマプロセス装置であって、少なくとも一方の側の電極1に、電極本体1aと、前記高周波電圧が印加され電極本体1aによって表面が被覆されるとともに電極本体1aよりも高周波抵抗の低い補助電極1bとからなる高周波印加電極1を用い、補助電極1bを介して電極本体1aに電圧を印加し、補助電極1bの外周部と電極本体1aとの接合部に高周波電流が集中して流れるように構成する。

請求項（抜粋）：

外部より反応ガスが供給される真空容器内に対向して配置され、高周波電圧が印加されて前記真空容器内にプラズマを発生する高周波印加電極であって、少なくとも一方の側の電極を、電極本体と、前記高周波電圧が印加され前記電極本体によって表面が被覆されるとともに前記電極本体よりも高周波抵抗の低い補助電極とから構成した高周波印加電極。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/505 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

C23C 16/505 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C

Fターム (29件)：

4K030FA03 ,  4K030KA19 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DG20 ,  4K057DM03 ,  4K057DM06 ,  4K057DM09 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BB22 ,  5F004BD04 ,  5F004CA09 ,  5F004DB01 ,  5F045AA08 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045AF11 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14