特許

J-GLOBAL ID：200903084429866400

不揮発性メモリ装置及び読み取りのための方法

発明者： エドゥアルド・マアヤン ,  ガイ・コーエン ,  ボアズ・エイタン
出願人/特許権者： サイファン・セミコンダクターズ・リミテッド
代理人 (6件)： 小野 新次郎 ,  社本 一夫 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  夫馬 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-178796
公開番号（公開出願番号）：特開2009-020996
出願日： 2008年07月09日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】基準電圧を確定するための方法、回路及びシステムを提供する。【解決手段】不揮発性装置、及び装置を作動させる方法が開示されており、同方法は、異なるグループのメモリセルの閾値電圧分布の関数として、メモリセルのグループを読み取るための読み取り基準レベルを変更する段階を含んでいる。変更する段階は、不揮発性メモリセルアレイのメモリセルのグループに関係付けられた履歴セルの履歴読み取り基準レベルを確定する段階と、感知された論理状態分布を記憶されている論理状態分布と比較する段階と、を含んでいる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

一組の不揮発性メモリ(「NVM」)セルのための所与の論理状態に関係付けられた読み取り基準レベルを選択するための方法において、 前記一組のNVMセルに関係付けられた履歴セルから初期の読み取りレベルを導き出す段階と、 前記初期の読み取り基準レベルを用いて感知された前記一組のNVMセルの論理状態分布を、前記一組のNVMセルの記憶されている論理状態分布と比較する段階と、から成る方法。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/02

FI (3件)：

G11C17/00 634E ,  G11C17/00 621Z ,  G11C17/00 641

Fターム (7件)：

5B125BA08 ,  5B125BA19 ,  5B125CA21 ,  5B125CA28 ,  5B125DA09 ,  5B125EG16 ,  5B125FA05

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第6,649,972号
  
• 米国特許第6,490,204号
  
• 米国特許第6,992,932号
  
• 弁理士事件番号、第P-9014号