ポジ型レジスト材料

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：滝田清暉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041717
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236035
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】高感度、高解像性、及び優れたプロセス適性を有する、高エネルギー線用ポジ型レジスト材料を提供すること。【構成】一部の水酸基の水素原子がt-ブトキシカルボニル基で置換されたポリ(ヒドロキシスチレン)樹脂(a)、溶解阻害剤(b)及びオニウム塩(c)を、それぞれ重量百分率で0.55≦a、0.07≦b≦0.40、0.005≦c≦0.15並びにa+b+c=1となるように含有すると共に、アルカリ水溶液で現像することが可能な、高エネルギー線に感応するポジ型レジスト材料であって、前記オニウム塩(c)が一般式(R)3 S+ Mで表されるオニウム塩であることを特徴とするポジ型レジスト材料;但し、一般式中のRは芳香族基であり、各Rの少なくとも一つはβ-ヒドロキシエトキシ基で置換されたフェニル基であり、各Rは同じであっても異なっても良い;また、Mはスルホニウムの陰イオンである。

請求項（抜粋）：

一部の水酸基の水素原子がt-ブトキシカルボニル基で置換されたポリ(ヒドロキシスチレン)樹脂(a)、溶解阻害剤(b)及びオニウム塩(c)を、それぞれ重量百分率で0.55≦a、0.07≦b≦0.40、0.005≦c≦0.15並びにa+b+c=1となるように含有すると共に、アルカリ水溶液で現像することが可能な、高エネルギー線に感応するポジ型レジスト材料であって、前記オニウム塩(c)が一般式(R)3 S+ Mで表されるオニウム塩であることを特徴とするポジ型レジスト材料;但し、一般式中のRは芳香族基であり、各Rの少なくとも一つはβ-ヒドロキシエトキシ基で置換されたフェニル基であり、各Rは同じであっても異なっても良い;また、Mはスルホニウムの陰イオンである。

IPC (5件)：

G03F 7/039 501 , C08F 12/14 MJY , G03F 7/004 503 , G03F 7/029 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-215662
特開平2-181151
特開平4-045125

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