特許

J-GLOBAL ID：200903084431206620

半導体装置

発明者： 成瀬 幹夫
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-194255
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007928
出願日： 2001年06月27日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体モジュールから冷却器への放熱性能に優れた半導体装置の提供。【解決手段】 半導体素子21,22が面接合により実装されたバスバー11、12とバスバー13を樹脂枠1により一体化し、半導体素子配設領域Sにゲル部材4を充填して硬化させることにより半導体素子22を封止した半導体モジュールMと、半導体モジュールMが放熱シート3を挟んで固定される冷却器2とを備える半導体装置において、半導体素子配設領域Sから半導体モジュールMの放熱シート3に対向する部分へと貫通する孔100を、樹脂枠1の連結部1cに形成した。その結果、半導体素子配設領域Sのゲル部材4が、孔100を通ってバスバー11とバスバー12,13と放熱シート3との隙間に浸入する。

請求項（抜粋）：

半導体素子が面接合により実装された複数のバスバーを樹脂モールド部材により一体化し、半導体素子配設領域に液状封止剤を充填して硬化させることにより前記半導体素子を封止した半導体モジュールと、前記半導体モジュールが放熱シートを挟んで固定される冷却器とを備える半導体装置において、前記半導体素子配設領域から前記半導体モジュールの前記放熱シートに対向する部分へと貫通する孔を少なくとも一つ形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/36

FI (3件)：

H01L 23/28 B ,  H01L 23/36 A ,  H01L 23/36 D

Fターム (9件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA02 ,  4M109DB04 ,  4M109DB09 ,  5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BC06 ,  5F036BE01