特許

J-GLOBAL ID：200903084437514040

炭化けい素ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法

発明者： 辻 崇
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-365929
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188406
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】炭化けい素ショットキーバリアダイオードにおいて、逆バイアス時のショットキー電極端部近傍における電界を緩和し、耐圧向上を図る。【解決手段】ショットキー電極4が接触するnエピタキシャル層2の表面層に、ショットキー電極4の端を含むリング状に、nエピタキシャル層2と逆導電型の例えばアルミニウムイオンを注入、熱処理して、nエピタキシャル層2と同じ導電型の低濃度領域3を形成する。

請求項（抜粋）：

炭化けい素結晶と、その表面に接触してショットキー接合を形成するショットキー電極と、表面の別の部分にオーミックな接触をするオーミック電極とからなる炭化けい素ショットキーバリアダイオードにおいて、炭化けい素結晶のショットキー電極の設けられる部分の表面層に、ショットキー電極の端部を含むリング状の同じ導電型の低濃度領域を有することを特徴とする炭化けい素ショットキーバリアダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 29/48 D ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/48 P

Fターム (9件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104FF36 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭56-049576
  
• 特開平2-264475