特許
J-GLOBAL ID：200903084438002345
光導波路素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005380
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206353
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 光導波路パタンと接続相手側の光ファイバとを精度よく接続できる光導波路路素子の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板2の光導波路パタン形成領域に凹部4を形成し、凹部4に下部クラッド層5を形成した後、下部クラッド層5の表面とシリコン基板2の表面とが同一面となるように平坦化し、然る後に、光導波路パタン7の形成基準となるアライメントマーカー3をシリコン基板2の表面に形成し、アライメントマーカー3を基準として下部クラッド層5の上部側に光導波路パタン7を形成し、光導波路パタン7の上部側を上部クラッド層8で覆って光導波路層12とした後、V溝形成領域の光導波路層12を除去してシリコン基板2の表面を露出させ、然る後に、この露出したシリコン基板2の表面側に前記アライメントマーカー3を基準としてV溝9を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、光導波路パタンを有する光導波路層と、前記光導波路パタンに接続される光ファイバ挿入用のV字形溝とが設けられている光導波路素子の製造方法であって、前記基板の前記光導波路パタン形成領域に凹部を形成し、該凹部に下部クラッド層を形成した後、該下部クラッド層の表面と前記基板の表面とが同一面となるように平坦化し、然る後に、前記光導波路パタンの形成基準となるアライメントマーカーを前記基板表面に形成し、このアライメントマーカーを基準として前記下部クラッド層の上部側に光導波路パタンを形成し、該光導波路パタンの上部側を上部クラッド層で覆って光導波路層を形成した後、前記V字形溝の形成領域の光導波路層を除去して前記基板表面を露出させ、然る後に、この露出した基板の表面側に前記アライメントマーカーを基準としてV字形溝を形成することを特徴とする光導波路素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
2H037AA01
, 2H037BA24
, 2H037BA35
, 2H037DA04
, 2H037DA11
, 2H037DA12
, 2H047KA04
, 2H047MA05
, 2H047MA07
, 2H047PA01
, 2H047PA21
, 2H047PA24
, 2H047RA00
, 2H047TA00
, 2H047TA32
