特許

J-GLOBAL ID：200903084441127116

半導体メモリ

発明者： 佐藤 弘 ,  吉田 敬一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156147
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031196
出願日： 1994年07月07日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 データの信頼性をチェックしデータが破壊されていた時はデータを訂正するメモリを提供する。【構成】 半導体メモリにエラーのチェック訂正機能を持つECC回路を設けるようにしたものである。また、不揮発性メモリにあっては、書き込み不可能アドレスが発生した場合に備えてメモリアレイ部に予備ビットをまた周辺回路には不良アドレス記憶手段を有する冗長回路を設けておくと共に、不良アドレス保持手段をメモリアレイ内の不揮発性記憶素子と同一の素子を用いて構成する。【効果】 メモリアレイ内の一部のデータが破壊されてもECC回路によって正しいデータを回復してやることができるため、メモリの信頼性を向上させることができる。また、製造プロセスを複雑にすることなく保持データの信頼性の高いメモリを実現することができる。

請求項（抜粋）：

入力された書込みデータに基づいてエラー訂正符号を形成し書込みデータと共にメモリアレイ部に書込み、当該メモリアレイ部から読み出されたエラー訂正符号付きデータをチェックして誤りを訂正するECC回路を同一半導体基板上に備えてなることを特徴とする半導体メモリ。

IPC (3件)：

G11C 29/00 302 ,  G06F 11/10 330 ,  G11C 16/06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-167300
  
• 特開平4-157700
  
• 特開昭61-217999
  
• 特開平3-162798