特許

J-GLOBAL ID：200903084448297602

マグネトロンプラズマ処理装置および処理方法

発明者： 伊藤 洋文 ,  稲沢 剛一郎 ,  末正 智希 ,  勝沼 隆幸
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110423
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306845
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ処理の段階に応じて適切なプラズマ状態を形成することができ、チャージアップダメージ等を有効に防止することができるプラズマ処理装置および処理方法を提供すること。【解決手段】 被処理基板30が装入され、真空に保持可能なチャンバー1と、チャンバー1内に互いに対向して設けられた一対の電極2,16と、これら一対の電極の間に電界を形成する電源10と、チャンバー1内に処理ガスを供給する処理ガス供給系15と、一対の電極2,16間の処理空間に、電界方向と直交しかつ一方向に向かう磁場を形成するリング磁石21と、リング磁石21を、磁場形成状態と、少なくとも基板配置部分が実質的に無磁場となる無磁場状態との間で切り換える切換機構26とを具備し、処理空間に電極2,16に対して平行に被処理基板が配置されて、マグネトロンプラズマ処理が施される。

請求項（抜粋）：

真空に保持可能なチャンバーと、前記チャンバー内に互いに対向して設けられ、その間に被処理基板が配置される一対の電極と、これら一対の電極の間に電界を形成する電界形成手段と、チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記一対の電極間に、電界方向と直交しかつ一方向に向かう磁場を形成する磁場形成手段と、前記磁場形成手段を、磁場形成状態と、前記電極間の少なくとも基板配置部分が実質的に無磁場となる無磁場状態との間で切り換える切換手段とを具備し、前記処理空間に電極に対して平行に被処理基板が配置されて、マグネトロンプラズマ処理が施されることを特徴とするマグネトロンプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23F 4/00 G ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 A

Fターム (26件)：

4K057DA02 ,  4K057DA11 ,  4K057DD01 ,  4K057DE14 ,  4K057DM02 ,  4K057DM21 ,  4K057DM35 ,  4K057DM37 ,  4K057DM39 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA13 ,  5F004BB08 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BC08 ,  5F004BD03 ,  5F004CA09 ,  5F004EB01 ,  5F045BB01 ,  5F045DP03 ,  5F045EH16 ,  5F045EM05