特許
J-GLOBAL ID:200903084448912080
カドミウムおよび鉛を含有しない厚膜ペースト組成物
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
谷 義一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-332417
公開番号(公開出願番号):特開平8-253342
出願日: 1995年12月20日
公開日(公表日): 1996年10月01日
要約:
【要約】【課題】 鉛およびカドミウムを含まない厚膜ペースト組成物であり、基板上の抵抗またはサーミスタパターンを形成するのに好適なものを提供する。【解決手段】 基板上に抵抗またはサーミスタのパターンを形成するのに好適な厚膜ペースト組成物であって、(a)ルテニウム系導電性材料5〜65重量%と;(b)5〜70モル%のBiO3 、18〜35モル%のSiO2 、0.1〜40モル%のCuO、5〜25モル%のZnO、0.5〜40モル%のCoO、0.5〜40モル%のFe2 O3 、および0.5〜40重量%のMnOを含み、鉛およびカドミウムを含まないガラス組成物95〜35重量%とのベース固形物を含有し、(a)および(b)の全てが有機媒体中に分散されている。
請求項(抜粋):
基板上に抵抗またはサーミスタのパターンを形成するのに好適な厚膜ペースト組成物であって、(a)ルテニウム系導電性材料5〜65重量%と;(b)5〜70モル%のBiO3 、18〜35モル%のSiO2 、0.1〜40モル%のCuO、5〜25モル%のZnO、0.5〜40モル%のCoO、0.5〜40モル%のFe2 O3 、および0.5〜40重量%のMnOを含み、鉛およびカドミウムを含まないガラス組成物95〜35重量%とのベース固形物を含有し、(a)および(b)の全てが有機媒体中に分散されていることを特徴とする厚膜ペースト組成物。
IPC (3件):
C03C 8/02
, C03C 3/062
, H01C 7/04
FI (3件):
C03C 8/02
, C03C 3/062
, H01C 7/04
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