特許
J-GLOBAL ID：200903084460736719
半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-002836
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317543
出願日： 1997年10月10日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板以外のGaN系の半導体層を成長させるのに適した新規な基板を見いだす。【解決手段】 基板の半導体層に接する面が下記要件の少なくとも2つを満足する。?@ GaN系の半導体と基板との密着性が良好なこと?A GaN系の半導体の熱膨張係数と基板の熱膨張係数とが近いこと?B 基板の弾性率が低いこと?C 基板の結晶構造がGaN系の半導体と同じであること?D |基板の格子定数-GaN系の半導体の格子定数|/GaN系の半導体の格子定数 ≦ 0.05であること
請求項（抜粋）：
基板と、GaN系の半導体層と、を備えてなる半導体素子であって、前記基板の前記GaN系の半導体層に接する面が下記要件を具備する?@ 窒化物生成自由エネルギーが負である材料を含む、?A 線膨張係数が10 X 10-6/K以下である材料を含む、ことを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/20
, H01L 21/205
H01L 33/00 C
, H01L 21/20
, H01L 21/205
