特許

J-GLOBAL ID：200903084460736719

半導体素子

発明者： 柴田 直樹
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-002836
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317543
出願日： 1997年10月10日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板以外のGaN系の半導体層を成長させるのに適した新規な基板を見いだす。【解決手段】 基板の半導体層に接する面が下記要件の少なくとも2つを満足する。?@ GaN系の半導体と基板との密着性が良好なこと?A GaN系の半導体の熱膨張係数と基板の熱膨張係数とが近いこと?B 基板の弾性率が低いこと?C 基板の結晶構造がGaN系の半導体と同じであること?D |基板の格子定数-GaN系の半導体の格子定数|/GaN系の半導体の格子定数 ≦ 0.05であること

請求項（抜粋）：

基板と、GaN系の半導体層と、を備えてなる半導体素子であって、前記基板の前記GaN系の半導体層に接する面が下記要件を具備する?@ 窒化物生成自由エネルギーが負である材料を含む、?A 線膨張係数が10 X 10-6/K以下である材料を含む、ことを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-017484
  
• 特開昭64-017484
  
• 特開昭64-017484