特許
J-GLOBAL ID：200903084462548650
絶縁膜の欠陥の評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-060814
公開番号（公開出願番号）：特開平8-261957
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 絶縁膜欠陥の欠陥像を正確にとらえる。【構成】 シリコン基板1上に熱酸化膜2を形成し、裏面側の酸化膜を除去する(図1(a)、(f))。メチルアルコール中に試料と銅電極を浸し、電極と試料間に電圧を印加して銅11を欠陥部直上の酸化膜表面に析出させる(図1(b)、(g))。この銅付着による欠陥位置検出によれば、銅析出時に欠陥10に流れる電流値が小さいので、欠陥10の形状や組成を変化させることがない。酸化膜2にマーク12を入れた後、銅11を除去し(図1(d)、(i))、基板1の裏面から試料の削り込みを行う(図1(e)、(j))。こうして作製した試料を透過型電子顕微鏡で観察することにより、正確な欠陥像が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜が形成された試料における前記絶縁膜の欠陥の評価方法において、メチルアルコール中に試料と銅電極を浸し、銅電極と試料間に電圧を印加して欠陥部の位置を検出するための銅を欠陥部直上の絶縁膜表面に析出させ、析出した銅が示す検出位置に基づいて、透過型電子顕微鏡から放射する電子線が透過できるように欠陥部を含む試料を裏面から薄片化し、前記電子顕微鏡で欠陥部を上下方向から観察することを特徴とする絶縁膜の欠陥の評価方法。
IPC (3件)：
G01N 23/04
, G01N 1/28
, G01N 1/32
G01N 23/04
, G01N 1/32 B
, G01N 1/28 G
, G01N 1/28 F
