特許
J-GLOBAL ID:200903084463545957
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三好 秀和 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-274898
公開番号(公開出願番号):特開2003-086741
出願日: 2001年09月11日
公開日(公表日): 2003年03月20日
要約:
【要約】【課題】 絶縁性、放熱性を向上させた半導体装置を提供することである。【解決手段】 放熱板11に台形部13を設け、この台形部13の上に、半導体素子105を搭載した絶縁基板101を直接接合することで、放熱性を向上させ、また、台形部13があることにより絶縁基板101の接合時にハンダがあふれても、ハンダは台形部13の下へ流れるため、あふれたハンダによる絶縁不良の発生を防止し、かつ、絶縁基板101と放熱板11との距離が離れることでも絶縁性を向上する。
請求項(抜粋):
半導体素子が搭載されている絶縁基板と、前記絶縁基板を接合するための台形部を設けた放熱板と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 23/34 A
, H01L 23/40 F
Fターム (5件):
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BC06
, 5F036BD01
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