特許

J-GLOBAL ID：200903084465912035

ポリシリコンCVD膜の成膜方法

発明者： 是枝 直樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063726
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260718
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 縦型CVD成膜装置を使って、ウエハ上にポリシリコンCVD膜を成膜する際、ダミーウエハ直下のウエハであっても、他のウエハと同様に良好なポリシリコン層を成膜し、穴等の欠陥が基板に生じないようにするポリシリコンCVD膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 本方法では、第1のダミーウエハ41を第1のウエハロット32の上に配置し、更に、第1のウエハロット32と第2のウエハロット34との間に第2のダミーウエハ43を、第2のウエハロット34と第3のウエハロット36との間に第3のダミーウエハ45を配置し、以下、下方のウエハロットについても同様にする。本方法では、第1から第5のダミーウエハ41、43、45、47は、シリコン基板50の表層にパッド酸化膜51を備えたダミーウエハ52を使用する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に素子分離膜としてPPL(Polysilicon Pad Locos 、ポリシリコン・パッドLOCOS)膜を形成するにあたり、縦型CVD成膜装置に複数個のロットからなるウエハを送入し、パッド酸化膜上にポリシリコン層をCVD法により成膜する方法であって、最上段のロットの上に、及び、ロットの間に、SiO2 膜を表層に有するウエハをダミーウエハとして配置することを特徴とするポリシリコンCVD膜の成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/762

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/76 D

Fターム (12件)：

5F032AA13 ,  5F032DA02 ,  5F032DA53 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB03 ,  5F045DA61 ,  5F045DP19 ,  5F045EM08 ,  5F045EM09 ,  5F045EN05