特許
J-GLOBAL ID：200903084465950441
プラズマ処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-232288
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082682
出願日： 1995年09月11日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【目的】 プラズマエッチングにおいて発生するチャージアップダメージや局所異常エッチング(ノッチング)を抑制する。【構成】 プラズマ処理における基板バイアスとして、プラズマ中の電子を加速するバイアス波形を印加する。【効果】 イオンだけでなく電子も微細パターンの底面まで入射することによって、微細パターン底面の正のチャージアップが解消され、プラズマエッチングにおけるチャージアップダメージやノッチングその他の形状異常抑制やプラズマCVDにおける溝内の均一な膜形成が行われる。
請求項（抜粋）：
真空処理室に処理ガスを導入し放電によってプラズマを発生させ、該真空処理室内の被処理物載置ステージにイオンを加速するためのバイアス電圧を印加し、該ステージ上に載置された被処理物を処理するプラズマ処理方法において、該バイアス電圧の波形が、プラズマ中のイオンを被処理基板に向かって加速する電圧波形の部分とプラズマ中の電子を被処理基板に向かって加速する電圧波形の部分を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 J
, H01L 21/302 B
