特許

J-GLOBAL ID：200903084466403169

半導体光素子及びその製造方法

発明者： 岸 健
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-294009
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103803
出願日： 2005年10月06日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：

【課題】活性層の変形を抑え、隣り合う活性層同士を好適に光結合できるとともに、活性層のPL発光強度を十分に得ることができる集積型の半導体光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体光素子1は、半導体レーザ素子部2a及び半導体変調素子部2bを備える。これらの素子部2a及び2bは、それぞれ光導波路部12a及び52aを有する。光導波路部12aは、n型半導体層8、活性層6、及びp型半導体層10が積層されてなる。光導波路部52aは、光導波路部12aと共有のn型半導体層8、活性層46、及びp型半導体層50が積層されてなる。n型半導体層8と活性層46との間には、InAsP層44が形成されている。また、半導体光素子1は、表面におけるエッチピット密度が500cm-2以下であるInP基板4を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型のInP基板と、 第1導電型のInPからなり、前記InP基板上に設けられた第1の半導体層と、 InP系化合物半導体を含み、前記第1の半導体層上において互いに接するように並んで設けられた第1及び第2の活性層と、 前記第1及び第2の活性層のうちいずれか一方の前記活性層と前記第1の半導体層との間に形成されたInAsP層と を備え、 前記InP基板の表面におけるエッチピット密度が500cm-2以下であることを特徴とする、半導体光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/026 ,  H01S 5/323 ,  H01S 5/20

FI (3件)：

H01S5/026 610 ,  H01S5/323 ,  H01S5/20

Fターム (17件)：

5F173AA26 ,  5F173AA47 ,  5F173AA48 ,  5F173AB13 ,  5F173AD12 ,  5F173AD16 ,  5F173AG20 ,  5F173AH14 ,  5F173AL07 ,  5F173AL13 ,  5F173AP06 ,  5F173AP13 ,  5F173AP14 ,  5F173AQ13 ,  5F173AR23 ,  5F173AR84 ,  5F173AR99

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 埋め込み型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-040355   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体光素子を製造する方法、及び半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-143906   出願人：住友電気工業株式会社