特許
J-GLOBAL ID:200903084477883944
酸化亜鉛薄膜、その製造方法、光電変換素子及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長尾 達也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-205849
公開番号(公開出願番号):特開平11-079891
出願日: 1998年07月06日
公開日(公表日): 1999年03月23日
要約:
【要約】【課題】本発明は、高温条件下での作成や、厚膜化を必要とすることなく、テクスチャー度を向上させ、短絡電流密度(Jsc)の改善された酸化亜鉛薄膜及び該酸化亜鉛薄膜で構成した光電変換素子を提供することを目的としている。【解決手段】本発明の酸化亜鉛薄膜は、酸化亜鉛結晶の(103)面のエックス線回折ピークを有することを特徴とするものであり、本発明の光電変換素子は、基板上に第一の透明導電層と半導体層と第二の透明導電層とを少なくとも有する光電変換素子において、該透明導電層の少なくとも一方を上記の酸化亜鉛薄膜で構成したことを特徴とするものである。
請求項(抜粋):
酸化亜鉛結晶の(103)面のエックス線回折ピークを有することを特徴とする酸化亜鉛薄膜。
IPC (5件):
C30B 29/16
, C01G 9/02
, C25D 9/04
, H01L 31/04
, C23C 16/40
FI (5件):
C30B 29/16
, C01G 9/02 Z
, C25D 9/04
, C23C 16/40
, H01L 31/04 M
引用特許:
審査官引用 (2件)
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光起電力素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-231315
出願人:キヤノン株式会社
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光起電力素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-223805
出願人:キヤノン株式会社
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