特許
J-GLOBAL ID：200903084479167910

半導体装置及びその製造方法

発明者：
佐藤 好弘

佐藤 好弘 について

, 
工藤 千秋

工藤 千秋 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (12件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-269220
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081249
出願日： 2005年09月15日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】トランジスタのゲート電極をフルシリサイド化する際に、ゲート長又はゲート面積等のパターン依存性により、未反応のポリシリコン領域又はシリサイドの組成が局所的に異なる領域がゲート電極に生じないようにする。 【解決手段】半導体装置は、半導体基板100の第1の領域Aに順次形成され、第1のゲート絶縁膜104A及びフルシリサイド化された第1のゲート電極115Aを有する第1のN型MISトランジスタ51と、半導体基板100の第2の領域Bに順次形成され、第2のゲート絶縁膜104B及びフルシリサイド化された第2のゲート電極115Bを有する第2のN型MISトランジスタ52とを備えている。第2のゲート電極115Bのゲート長は、第1のゲート電極115Aのゲート長よりも大きく、且つ、第2のゲート電極115Bにおけるゲート長方向の中央部の厚さは、第1のゲート電極115Aの厚さよりも小さい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の領域及び第2の領域に区画された半導体基板と、 前記半導体基板の前記第1の領域に順次形成され、第1のゲート絶縁膜及びフルシリサイド化された第1のゲート電極を有する第1のMISトランジスタと、 前記半導体基板の前記第2の領域に順次形成され、第2のゲート絶縁膜及びフルシリサイド化された第2のゲート電極を有する第2のMISトランジスタとを備え、 前記第2のゲート電極のゲート長は、前記第1のゲート電極のゲート長よりも大きく、 前記第2のゲート電極におけるゲート長方向の中央部の厚さは、前記第1のゲート電極の厚さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L27/08 102C ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/58 G ,  H01L29/44 S ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301P
Fターム (81件)：
4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD03 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104EE09 ,  4M104EE17 ,  4M104FF06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB06 ,  5F048AB07 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB20 ,  5F048BC05 ,  5F048BD02 ,  5F048BD10 ,  5F048BE04 ,  5F048BF06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA18 ,  5F048DA23 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA06 ,  5F140AB01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF08 ,  5F140BF34 ,  5F140BF42 ,  5F140BG04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG20 ,  5F140BG26 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG35 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG58 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK01 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK35 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CE08 ,  5F140CE20
引用特許：
出願人引用 (1件)

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