特許

J-GLOBAL ID：200903084491923070

光半導体素子の製造方法

発明者： 黒田 尚孝
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056643
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314657
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】選択成長マスクとして従来使用されたSiO2 やSiNX を用いると、成長温度が低い場合やMOVPEにおいては成長圧力が高い場合やマスク面積が広い場合には、その上に多結晶が堆積する。多結晶の堆積のない選択成長可能条件を更に広げる。【構成】従来のマスクを用いると膜には未結合手が存在し、これがマスク上に飛来した3族、5族原料の吸着種と結合し、多結晶堆積の一因となる。MBE成長によるMoSe2 からなるマスク21を用いると、膜表面には未結合手が存在しないため膜上の3族5族原料の吸着種との結合が起こらず選択性が向上することが期待される。MOVPEでは、より高い成長圧力でも選択成長が可能となり、300Torr以上で選択成長を行うことにより従来よりもマスク幅によるMQW構造の波長変化が広がる。選択成長で形成したDFBレーザと半導体光変調器を集積した素子においては損失が低減し変調帯域が拡大する。

請求項（抜粋）：

マスクで覆われた部分以外の半導体層上に選択的に半導体薄膜を積層する選択エピタキシャル成長を用いて光半導体素子を形成する方法において、前記マスクとして分子線エピタキシャル成長法で形成したセレン化モリブデン、硫化モリブデン、硫化ハフニウム、セレン化ニオブ、硫化ニオブの内いずれか1つの膜を用いることを特徴とする光半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/203