特許

J-GLOBAL ID：200903084492385349

エレクトロクロミック素子及び高分子電解質薄膜の製造方法

発明者： 古関 恵一 ,  出水 祐三 ,  大戸 奈津子 ,  櫻田 智
出願人/特許権者： 東燃株式会社
代理人 (1件)： 宇井 正一 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-028168
公開番号（公開出願番号）：特開平6-242474
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 多孔質ポリイミド薄膜を支持体としてイオン導電体を充填した固体高分子電解質薄膜、及びそれを用いたエレクトロクロミック素子を提供する。【構成】 基材上にポリイミド薄膜を、例えば、スピンコート法で形成し、そのポリイミド薄膜にドライエッチングで微細孔(一般的に、細孔径0.01μm 〜3.0μm 、空孔率30〜90%)を全面に多数形成し、得られる多孔質ポリイミド薄膜の空孔中に電解質溶液を充填すると、固体高分子電解質薄膜が得られる。このポリイミド多孔質薄膜を支持体とした固体高分子電解質薄膜を電解質層として用いてエレクトロクロミック素子を構成する。

請求項（抜粋）：

ポリイミド多孔質薄膜の空孔中に電解質溶液を充填してなる固体高分子電解質薄膜を電解質層として用いたことを特徴とするエレクトロクロミック素子。

IPC (2件)：

G02F 1/15 507 ,  G02F 1/15 505