特許

J-GLOBAL ID：200903084497448055

静電容量型圧力センサ

発明者： 三浦 清
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-075574
公開番号（公開出願番号）：特開2001-264201
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】 温度の影響が少なく、感度特性が良好で、量産性に優れた安価な静電容量型圧力センサを提供すること。【解決手段】 第1の基板10に形成される固定電極16と第2の基板11のダイアフラム部13に形成された多層構造の絶縁膜A28及び絶縁膜B31が、キャビティ部14を介して対向するように接合され、かつ、固定電極16がシールド層30の上に形成された静電容量型圧力センサ。

請求項（抜粋）：

固定電極が形成された第1の基板と、キャビティ部及び可動電極を兼ねるダイアフラム部が形成された第2の基板とが、前記キャビティ部を介して対向するように接合されたセンサチップを有する静電容量型圧力センサにおいて、前記第1の基板及び第2の基板がシリコン基板で構成されてなることを特徴とする静電容量型圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/12 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/12 ,  H01L 29/84 Z

Fターム (18件)：

2F055AA40 ,  2F055BB05 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF01 ,  2F055FF43 ,  2F055GG11 ,  2F055GG15 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA14 ,  4M112CA16 ,  4M112DA02 ,  4M112DA12 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02